Ученые из Кили выявили новый механизм переноса энергии через сеть дефектов в атомарно тонких материалах

Текст статьи доступен на языке оригинала.
Нажмите кнопку «Перевести статью» выше, чтобы сгенерировать перевод с помощью ИИ.
Технические детали обнаружения, сопоставления и связывания статьи
«ученые Кили дефекты гексагональный нитрид бора перенос энергии»
Одним из ключевых элементов такой « сэндвич-архитектуры» является гексагональный нитрид бора (hBN) — идеально плоский изолятор, который ценится за свою химическую стабильность. Однако, как выяснила группа под руководством доцента Хе Йон Ли, этот материал часто содержит скрытые дефекты упаковки.
Исследователи из НИТУ МИСИС и РАН показали, что дефекты на поверхности гексагонального нитрида бора улучшают каталитическую активность. Наночастицы врастают в углубления и меняют форму.
Команда исследователей из КНР выяснила, в чем основная причина дефектов и как можно увеличить производительность полупроводников, изготовленных из этого материала.
Авторы используют продвинутые квантово‑механические расчёты, чтобы сначала изучить простые дефекты: пустые борные места (вакансии бора), те же вакансии, частично или полностью ...
Мы задались вопросом: можно ли использовать дефекты его структуры для регулирования поведения наночастиц и повышения эффективности работы катализатора?
Как дефекты структуры повышают каталитическую активность? Ученые НИТУ МИСИС выяснили, что глубина окисления напрямую влияет на фиксацию наночастиц и их форму, что улучшает работу ...
«Гексагональный нитрид бора долгое время рассматривался исключительно как инертный материал подложки, который не участвует в каталитической реакции. Мы задались вопросом: можно ли использовать дефекты его структуры для регулирования поведения наночастиц и повышения эффективности работы катализатора?
Гексагональный нитрид бора (hBN) один из широкозонных полупроводников (Eg = 6,08 эВ), в котором некоторые дефекты точечного типа являются яркими и оптически стабильными ИОФ, работающими при комнатной температуре.
Исследователи Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) разработали новую архитектуру силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN), способную выдерживать напряжение свыше 3,4 кВ. Технология может значительно ...
Download Citation | Ul'trafioletovaya katodolyuminestsentsiya ionno-indutsirovannykh defektov v geksagonal'nom nitride bora | Гексагональный нитрид бора выделяют ...