Texas Instruments представил новый преобразователь на основе нитрида галлия с рекордной эффективностью

Текст статьи доступен на языке оригинала.
Нажмите кнопку «Перевести статью» выше, чтобы сгенерировать перевод с помощью ИИ.
Технические детали обнаружения, сопоставления и связывания статьи
«Texas Instruments нитрид галлия LMG708B0»
Итак, за латинскими буквами GaN скрывается название полупроводникового материала — нитрида галлия. В последние годы он активно используется вместо кремния в чипах зарядных устройств для смартфонов, планшетов, ноутбуков и другой техники — особенно в премиум-сегменте.
Texas Instruments указывает, что её GaN-компоненты способны работать на частотах выше 500 кГц, а магнитные элементы в определённых конструкциях становятся до 60% компактнее.
Ранние АФАР строились на арсениде галлия: электронное сканирование луча, много целей одновременно, устойчивость к помехам. Всё хорошо, кроме потолка по мощности и теплу.
Полсотни ватт непрерывной мощности в полосе от 6 до 18 гигагерц на одном кристалле нитрида галлия — так твердотельный СВЧ-модуль постепенно вытесняет из радиолокации и ...
Китайский производитель Lvlian выпустил зарядное устройство мощностью 100 Вт на базе нитрида галлия. Новинка оснащена тремя портами и имеет компактные.
Выжечь эфир: почему нитрид галлия (GaN) стал «главным калибром» в борьбе с роями БПЛА Традиционная ПВО зашла в тупик перед лицом дешевых роев БПЛА, способных ослепить радары и истощить ...